Damage accumulation in Si during high-dose self-ion implantation

Détails

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ID Serval
serval:BIB_858E007E13DD
Type
Article: article d'un périodique ou d'un magazine.
Collection
Publications
Institution
Production externe
Titre
Damage accumulation in Si during high-dose self-ion implantation
Périodique
Journal of Applied Physics
Auteur⸱e⸱s
Zhong  Y., Bailat  C., Averback  R. S., Ghose  S. K., Robinson  I. K.
ISSN
0021-8979
Statut éditorial
Publié
Date de publication
2004
Peer-reviewed
Oui
Volume
96
Numéro
3
Pages
1328-1335
DOI
10.1063/1.1763242
Web of science
000222936900007
Création de la notice
25/04/2008 16:53
Dernière modification de la notice
20/08/2019 14:44
Données d'usage